Infineon IPA Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 800 V / 4.5 A 33 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 258-3777
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA80R650CEXKSA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.53.55
Nur noch Restbestände
- Letzte 450 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.071 | CHF.53.33 |
| 100 - 200 | CHF.0.939 | CHF.46.92 |
| 250 - 450 | CHF.0.879 | CHF.43.73 |
| 500 - 950 | CHF.0.808 | CHF.40.55 |
| 1000 + | CHF.0.758 | CHF.37.88 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3777
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA80R650CEXKSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IPA | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 650mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IPA | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 650mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon 800 V CoolMOS CE ist eine Hochleistungsgerätefamilie mit 800 Volt Unterbrechungsspannung. Die CE richtet sich an Unterhaltungselektronikanwendungen sowie Beleuchtung. Die neue 800-V-Auswahl-Serie richtet sich speziell an LED-Anwendungen. Mit dieser speziellen CoolMOS-Familie kombiniert Infineon langjährige Erfahrung als führender Super-Junction-MOSFET-Lieferant mit erstklassiger Innovation.
Niedriger spezifischer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Sehr niedrige Energiespeicherung in der Ausgangskapazität @ 400 V
Hohe Zuverlässigkeit
Benutzerfreundlichkeit
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