Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 66 A TO-220

RS Best.-Nr.:: 258-3779
Herst. Teile-Nr.:: IPAN60R125PFD7SXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 66 A TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.107.65

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 13. Mai 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 - 50	CHF.2.153	CHF.107.78
100 - 200	CHF.1.785	CHF.89.46
250 - 450	CHF.1.659	CHF.83.00
500 - 950	CHF.1.596	CHF.79.80
1000 +	CHF.1.533	CHF.76.55

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 258-3779
Herst. Teile-Nr.:: IPAN60R125PFD7SXKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	66A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	IPA
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	125mΩ
	Channel-Modus	N
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 66A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie IPA
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ
	Channel-Modus N
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPAN60R125PFD7SXKSA1

Der Infineon 600 V CoolMOS PFD7 Super Junction MOSFET ergänzt das CoolMOS 7-Angebot für Verbraucheranwendungen. Der MOSFET in einem schmalen TO-220 FullPAK-Gehäuse verfügt über einen RDS(on) von 125 mOhm, was zu niedrigen Schaltverlusten führt. Die Produkte werden mit einer schnellen Gehäuse-Diode geliefert, die ein robustes Gerät gewährleistet und wiederum den Materialaufwand für den Kunden verringert. Diese Produktfamilie ist auf extrem hohe Leistungsdichte sowie Designs mit höchster Effizienz zugeschnitten. Die Produkte richten sich hauptsächlich an Ladegeräte mit extrem hoher Dichte, Adapter und Motorantriebe mit geringer Leistungsaufnahme. Der 600-V-CoolMOS PFD7 bietet einen verbesserten Wirkungsgrad bei leichter und voller Last über CoolMOS P7- und CE-MOSFET-Technologien, was zu einer Erhöhung der Leistungsdichte um 1,8 W/Zoll3 führt.

Großer Bereich von RDS(on)-Werten

Ausgezeichnete Schaltfestigkeit

Niedrige elektromagnetische Störungen

Breites Paketportfolio

BOM-Kostenreduzierung und einfache Fertigung

Robustheit und Zuverlässigkeit

Einfache Auswahl der richtigen Teile für die Feinabstimmung des Designs

Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 66 A TO-220

Verwandte Links