Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 120 A 313 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.5.464

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1'524 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9CHF.5.46
10 - 24CHF.5.20
25 - 49CHF.4.98
50 - 99CHF.4.75
100 +CHF.4.43

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3786
Herst. Teile-Nr.:
IPB020N10N5LFATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

313W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.89V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

195nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC 61249-2-21

Automobilstandard

Nein

Der Linear-FET OptiMOS von Infineon ist ein revolutionärer Ansatz zur Vermeidung des Kompromisses zwischen dem Widerstand im eingeschalteten Zustand und dem Betrieb mit linearen Modusfähigkeiten im Sättigungsbereich eines erweiterten Modus-MOSFETs. Er bietet den hochmodernen R DS(on) eines Trennschlitz-MOSFETs zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFETs.

Hoher max. Impulsstrom

Hoher durchgehender Impulsstrom

Robuster Betrieb im linearen Modus

Geringe Leitungsverluste

Verwandte Links