Infineon iPB N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 120 A 313 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 258-3785
Herst. Teile-Nr.:: IPB020N10N5LFATMA1
Marke:: Infineon

Infineon iPB N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 120 A 313 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 258-3785
Herst. Teile-Nr.:: IPB020N10N5LFATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	120A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	iPB
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2mΩ
	Channel-Modus	N
	Maximale Verlustleistung Pd	313W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	890mV
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	195nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS, IEC 61249-2-21
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie iPB
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ
	Channel-Modus N
	Maximale Verlustleistung Pd 313W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 890mV
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 195nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS, IEC 61249-2-21
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPB020N10N5LFATMA1

MOSFET der iPB-Serie von Infineon, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 120 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPB020N10N5LFATMA1

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Hochstrom-Leistungstransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in anspruchsvollen thermischen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich und bietet eine starke Leitfähigkeit für Anwendungen, die einen hohen Dauerstrom und eine moderate Gate-Antriebsenergie erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leitungsverluste für Hochstrombetrieb
• Hohe Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Lastaufnahme bei hoher Verlustleistung
• Robuste Ablass-Quellenspannung ermöglicht sicheres Schalten bis zu 100 V
• Große kontinuierliche Ablassstromkapazität unterstützt Hochstromsysteme
• Mäßige Gate-Ladung gleicht Schaltgeschwindigkeit und Gate-Drive-Anforderungen aus

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-Gleichstrom-Verteilerblöcke
• Ideal für Schaltnetzteile in kompakten Systemen
• Einsatz mit Motortreibern, die Toleranzen von 100 V erfordern
• Kann für Server- und Telekommunikations-Leistungsstufen verwendet werden
• Geeignet für industrielle Wandler, die bei hohen Temperaturen arbeiten

Welche Umgebungstemperaturen kann er tolerieren?

Er funktioniert in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und unterstützt sowohl den Kaltstart als auch den Hochtemperaturbetrieb.

Wie ist es für die Leiterplattenmontage verpackt?

Er wird in einem oberflächenmontierbaren TO-263-Gehäuse geliefert, das für platinenmontierte Stromversorgungsanlagen vorgesehen ist.

Welche Gate-Drive-Bedenken gelten für die Schaltleistung?

Die typische Gesamt-Gate-Ladung beträgt 195 nC, was die Gate-Treiber-Strom- und Schaltzeitanforderungen anzeigt.

Welche Sicherheitsgrenzen regeln die Gate-to-Source-Ausflüge?

Die maximal zulässige Gate-Source-Spannung beträgt 20 V und sollte nicht überschritten werden, um eine Belastung des Geräts zu vermeiden.