Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 136 A 250 W, 7-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

CHF.3’098.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1’000 Einheit(en) mit Versand ab 08. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +CHF.3.098CHF.3’098.55

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
258-3792
Herst. Teile-Nr.:
IPB060N15N5ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

136A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

54.5nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Die 150-V-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS 5 von Infineon sind besonders geeignet für Niederspannungsantriebe wie Gabelstapler und E-Roller sowie für Telekommunikations- und Solaranwendungen. Die neuen Produkte bieten eine durchgreifende Reduzierung von RDS(on) und Qrr ohne Kompromisse bei FOM gd und FOM OSS, wodurch der Entwurfsaufwand effektiv reduziert und gleichzeitig die Effizienz des Systems optimiert wird. Darüber hinaus erhöht die extrem niedrige umgekehrte Wiederherstellungsladung die Schaltungsrobustheit.

Geringere Ausgangsladung

Extrem niedrige umgekehrte Wiederherstellungsladung

Geringere Parallelbildung

Konstruktionen mit höherer Leistungsdichte

Verwandte Links