Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 136 A 250 W, 7-Pin IPB060N15N5ATMA1 TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
IPB060N15N5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

136A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

iPB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

54.5nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Die 150-V-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS 5 von Infineon sind besonders geeignet für Niederspannungsantriebe wie Gabelstapler und E-Roller sowie für Telekommunikations- und Solaranwendungen. Die neuen Produkte bieten eine durchgreifende Reduzierung von RDS(on) und Qrr ohne Kompromisse bei FOM gd und FOM OSS, wodurch der Entwurfsaufwand effektiv reduziert und gleichzeitig die Effizienz des Systems optimiert wird. Darüber hinaus erhöht die extrem niedrige umgekehrte Wiederherstellungsladung die Schaltungsrobustheit.

Geringere Ausgangsladung

Extrem niedrige umgekehrte Wiederherstellungsladung

Geringere Parallelbildung

Konstruktionen mit höherer Leistungsdichte

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