Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 220 V / 72 A IPB156N22NFDATMA1 TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 258-3801
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB156N22NFDATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.7.592
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.7.59 |
| 10 - 24 | CHF.7.21 |
| 25 - 49 | CHF.6.91 |
| 50 - 99 | CHF.6.59 |
| 100 + | CHF.6.14 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3801
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB156N22NFDATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 72A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 220V | |
| Serie | iPB | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 72A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 220V | ||
Serie iPB | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die schnelle OptiMOS-Diode von Infineon in 200 V, 220 V, 250 V und 300 V ist für die harte Diodenumschaltung optimiert. Die Geräte sind die perfekte Wahl für harte Schaltanwendungen wie Telekommunikation, industrielle Netzteile, Audioverstärker der Klasse D, Motorsteuerung und DC/AC-Wechselrichter.
Verbesserte Robustheit bei harter Kommutierung
Optimiertes hartes Schaltverhalten
Höchste Systemzuverlässigkeit
Systemkostenreduzierung
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