Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 300 V / 44 A TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 258-3807
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB407N30NATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-3807
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB407N30NATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 44A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 300V | |
| Serie | iPB | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40.7mΩ | |
| Channel-Modus | P | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 44A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 300V | ||
Serie iPB | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40.7mΩ | ||
Channel-Modus P | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon OptiMOS 300-V-MOSFETs mit schneller Diodentechnologie sind speziell für die harte Gehäusedioden-Kommutierung optimiert. Die Geräte zeigen nicht nur einen beeindruckenden Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine hohe Zuverlässigkeit, sondern bieten auch eine hohe Systemzuverlässigkeit durch die niedrigste auf dem Markt erhältliche umgekehrte Wiederherstellungsladung. Mit der 300-V-Serie OptiMOS bringt Infineon eine neue Leistungsstufe in harten Schaltanwendungen wie Telekommunikation, unterbrechungsfreie Netzteile, industrielle Netzteile, DC/AC-Wechselrichter und Motorsteuerung.
Harte Schaltfestigkeit
Optimiertes hartes Schaltverhalten
Reduzierung von Platinenplatz und Systemkosten
Hohe Systemzuverlässigkeit
Beste Schaltleistung
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