Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
258-3819
Herst. Teile-Nr.:
IPB80P04P4L06ATMA2
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Leistungstransistor OptiMOS-P2 von Infineon ist ein P-Kanal-Logikpegelverstärkungsmodus. Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C.

AEC-qualifiziert

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow

Verwandte Links