Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 100 V / 67 A 125 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

CHF.1’392.50

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 14. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +CHF.0.557CHF.1’396.50

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
258-3834
Herst. Teile-Nr.:
IPD12CN10NGATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

67A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.4mΩ

Channel-Modus

P

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

49nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die OptiMOS-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten überlegene Lösungen für hocheffiziente SMPS mit hoher Leistungsdichte. Im Vergleich zur nächsten besten Technologie erreicht diese Familie eine Reduzierung von 30 % sowohl bei R DS(on) als auch bei FOM

Ausgezeichnete Schaltleistung

Weltweit niedrigste R DS(on)

Umweltfreundlich

Erhöhte Effizienz

Höchste Leistungsdichte

Verwandte Links