Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 100 V / 67 A 125 W, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 258-3835
- Mfr. Part No.:
- IPD12CN10NGATMA1
- Brand:
- Infineon
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| 20 - 48 | CHF.1.733 | CHF.3.47 |
| 50 - 98 | CHF.1.628 | CHF.3.26 |
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| 200 + | CHF.1.386 | CHF.2.78 |
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- RS Stock No.:
- 258-3835
- Mfr. Part No.:
- IPD12CN10NGATMA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 67A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12.4mΩ | |
| Channel-Modus | P | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 49nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 67A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12.4mΩ | ||
Channel-Modus P | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 49nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die OptiMOS-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten überlegene Lösungen für hocheffiziente SMPS mit hoher Leistungsdichte. Im Vergleich zur nächsten besten Technologie erreicht diese Familie eine Reduzierung von 30 % sowohl bei R DS(on) als auch bei FOM
Ausgezeichnete Schaltleistung
Weltweit niedrigste R DS(on)
Umweltfreundlich
Erhöhte Effizienz
Höchste Leistungsdichte
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