Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 100 V / 67 A 125 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-3835
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD12CN10NGATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (2 Stück, in einer Packung mit 2)*
CHF 2.83
Auf Lager
- 2'432 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF 1.414 | CHF 2.83 |
| 20 - 48 | CHF 1.212 | CHF 2.42 |
| 50 - 98 | CHF 1.151 | CHF 2.29 |
| 100 - 198 | CHF 1.061 | CHF 2.12 |
| 200 + | CHF 0.97 | CHF 1.94 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3835
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD12CN10NGATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 67A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12.4mΩ | |
| Channel-Modus | P | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 49nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 67A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12.4mΩ | ||
Channel-Modus P | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 49nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die OptiMOS-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten überlegene Lösungen für hocheffiziente SMPS mit hoher Leistungsdichte. Im Vergleich zur nächsten besten Technologie erreicht diese Familie eine Reduzierung von 30 % sowohl bei R DS(on) als auch bei FOM
Ausgezeichnete Schaltleistung
Weltweit niedrigste R DS(on)
Umweltfreundlich
Erhöhte Effizienz
Höchste Leistungsdichte
Verwandte Links
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 100 V / 67 A 125 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal MOSFET P / 15.1 A TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal MOSFET P / 1.7 A TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal MOSFET N / 4.4 A TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 2.6 A TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P / 13 A TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 22 A 125 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -90 A 125 W, 3-Pin TO-252