Teile-Nr.

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 100 V / 67 A 125 W, 3-Pin IPD12CN10NGATMA1 TO-252

RS Best.-Nr.:: 258-3835
Herst. Teile-Nr.:: IPD12CN10NGATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 100 V / 67 A 125 W, 3-Pin IPD12CN10NGATMA1 TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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20 - 48	CHF.1.733	CHF.3.47
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RS Best.-Nr.:: 258-3835
Herst. Teile-Nr.:: IPD12CN10NGATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	67A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	IPD
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	12.4mΩ
	Channel-Modus	P
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	125W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	49nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 67A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie IPD
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 12.4mΩ
	Channel-Modus P
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 125W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 49nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPD12CN10NGATMA1

Die OptiMOS-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten überlegene Lösungen für hocheffiziente SMPS mit hoher Leistungsdichte. Im Vergleich zur nächsten besten Technologie erreicht diese Familie eine Reduzierung von 30 % sowohl bei R DS(on) als auch bei FOM

Ausgezeichnete Schaltleistung

Weltweit niedrigste R DS(on)

Umweltfreundlich

Erhöhte Effizienz

Höchste Leistungsdichte

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 100 V / 67 A 125 W, 3-Pin IPD12CN10NGATMA1 TO-252

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