Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -90 A 125 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-3871
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD90P04P4L04ATMA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.5.374
Auf Lager
- 9'338 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.2.687 | CHF.5.38 |
| 20 - 48 | CHF.2.343 | CHF.4.68 |
| 50 - 98 | CHF.2.212 | CHF.4.42 |
| 100 - 198 | CHF.2.05 | CHF.4.10 |
| 200 + | CHF.1.879 | CHF.3.77 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3871
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD90P04P4L04ATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -40V | |
| Serie | IPD | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 135nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Durchlassspannung Vf | -1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -40V | ||
Serie IPD | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 135nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Durchlassspannung Vf -1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Leistungstransistor OptiMOS-P2 von Infineon bietet die niedrigsten Schalt- und Leitungsstromverluste für höchsten thermischen Wirkungsgrad und robuste Gehäuse mit überlegener Qualität und Zuverlässigkeit.
P-Kanal – Logikpegel – Verstärkungsmodus
AEC-qualifiziert
Einfache Schnittstellen-Antriebsstromkreis
Weltweit niedrigster RDSon bei 40 V
Höchste Strombelastbarkeit
Verwandte Links
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -90 A 125 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 90 A 137 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 22 A 125 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal MOSFET P / 15.1 A TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -85 A 88 W TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -50 A 58 W PG-TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal MOSFET P / 1.7 A TO-252