Infineon Doppelt OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 55 V Erweiterung / 20 A 65 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-3877
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N06S2L35AATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF 10.10
Auf Lager
- Zusätzlich 4'685 Einheit(en) mit Versand ab 16. November 2026
- Zusätzlich 5'000 Einheit(en) mit Versand ab 14. Januar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 2.02 | CHF 10.12 |
| 50 - 120 | CHF 1.818 | CHF 9.11 |
| 125 - 245 | CHF 1.707 | CHF 8.52 |
| 250 - 495 | CHF 1.576 | CHF 7.90 |
| 500 + | CHF 1.323 | CHF 6.60 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3877
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N06S2L35AATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 35mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 35mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der OptiMOS-Leistungs-Transistor von Infineon ist ein Dual Super S08, der mehrere DPAKs ersetzen kann, um erhebliche Einsparungen auf der Leiterplatte zu erreichen und die Kosten auf Systemebene zu senken. Größerer Quellkabelrahmenanschluss für die Kabelverbindung und die gleiche thermische und elektrische Leistung wie ein DPAK mit der gleichen Matrizengröße.
Zweifach-N-Kanal-Logikpegel – Enhancement-Modus
AEC Q101-qualifiziert
MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow
Betriebstemperatur: 175 °C
Verwandte Links
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal MOSFET 55 V Erweiterung / 20 A 65 W, 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-Transistor 40 V Erweiterung / 20 A 65 W, 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-Transistor 55 V Erweiterung / 20 A 43 W, 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET-Arrays 60 V Erweiterung / 20 A 33 W, 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET & Diode 100 V Erweiterung / 20 A 43 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 55 A 66 W, 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-Transistor 100 V Erweiterung / 20 A 43 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 20 A 65 W, 8-Pin TDSON-8-4
