Infineon IPL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 24 A IPLK60R360PFD7ATMA1 TDSON

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RS Best.-Nr.:
258-3887
Herst. Teile-Nr.:
IPLK60R360PFD7ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

IPL

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600 V CoolMOS PFD7 Super Junction MOSFET ergänzt das CoolMOS 7-Angebot für Verbraucheranwendungen. Der CoolMOS PFD7 Super-Junction-MOSFET in einem ThinPAK 5x6-Gehäuse verfügt über einen RDS(on) von 360 mOhm, was zu niedrigen Schaltverlusten führt. Dieses Gehäuse zeichnet sich durch eine sehr kleine Abmessung von 5 x 6 mm2 und ein sehr flaches Profil mit einer Höhe von 1 mm aus. Zusammen mit dem Benchmark mit niedrigem Parasitstrom führen diese Merkmale zu deutlich kleineren Formfaktoren und tragen zur Steigerung der Leistungsdichte bei. Die CoolMOS PFD7-Produkte werden mit einer schnellen Gehäusediode geliefert, die ein robustes Gerät gewährleistet und wiederum die Materialkosten für den Kunden verringert.

Integrierte robuste schnelle Gehäuse-Diode

ESD-Schutz bis zu 2 kV

Ausgezeichnete Schaltfestigkeit

Niedrige elektromagnetische Störungen

BOM-Kostenreduzierung und einfache Fertigung

Robustheit und Zuverlässigkeit

Einfache Auswahl der richtigen Teile für die Feinabstimmung des Designs

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