Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 80 V / 120 A 167 W, 3-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 258-3890
Herst. Teile-Nr.:: IPP034N08N5AKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 80 V / 120 A 167 W, 3-Pin TDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 258-3890
Herst. Teile-Nr.:: IPP034N08N5AKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	120A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	IPP
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.4mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	69nC
	Maximale Verlustleistung Pd	167W
	Durchlassspannung Vf	0.97V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	IEC 61249-2-21, RoHS
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie IPP
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.4mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 69nC
	Maximale Verlustleistung Pd 167W
	Durchlassspannung Vf 0.97V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPP034N08N5AKSA1

Der 80-V-Leistungs-MOSFET OptiMOS 5 von Infineon wurde speziell für die synchrone Gleichrichtung für Telekommunikations- und Server-Netzteile entwickelt. Darüber hinaus kann das Gerät auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantrieben und Adapter verwendet werden. In sieben verschiedenen Gehäusen bieten die OptiMOS 5 80-V-MOSFETs den branchenweit niedrigsten RDS(on). Zusätzlich hat der OptiMOS 5 80 V im Vergleich zur vorherigen Generation eine Reduzierung des RDS(on) von bis zu 43 %.

Ideal für hohe Schaltfrequenz

Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %

Höchste Systemeffizienz

Geringere Schalt- und Leitungsverluste

Weniger Parallelführung erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

Niedrige Spannungsüberschreitung

Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 80 V / 120 A 167 W, 3-Pin TDSON

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