Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 80 V / 120 A 167 W, 3-Pin IPP034N08N5AKSA1 TDSON

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258-3891
Herst. Teile-Nr.:
IPP034N08N5AKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

IPP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.4mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

167W

Durchlassspannung Vf

0.97V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

69nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Der 80-V-Leistungs-MOSFET OptiMOS 5 von Infineon wurde speziell für die synchrone Gleichrichtung für Telekommunikations- und Server-Netzteile entwickelt. Darüber hinaus kann das Gerät auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantrieben und Adapter verwendet werden. In sieben verschiedenen Gehäusen bieten die OptiMOS 5 80-V-MOSFETs den branchenweit niedrigsten RDS(on). Zusätzlich hat der OptiMOS 5 80 V im Vergleich zur vorherigen Generation eine Reduzierung des RDS(on) von bis zu 43 %.

Ideal für hohe Schaltfrequenz

Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %

Höchste Systemeffizienz

Geringere Schalt- und Leitungsverluste

Weniger Parallelführung erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

Niedrige Spannungsüberschreitung

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