Teile-Nr.

Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET 650 V / 24 A 128 W, 3-Pin IPP65R095C7XKSA1 TO-220

RS Best.-Nr.:: 258-3899
Herst. Teile-Nr.:: IPP65R095C7XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET 650 V / 24 A 128 W, 3-Pin IPP65R095C7XKSA1 TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.2.058

Auf Lager

20 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Zusätzlich 2’000 Einheit(en) mit Versand ab 16. Februar 2026
Zusätzlich 500 Einheit(en) mit Versand ab 16. März 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück
1 - 9	CHF.2.06
10 - 24	CHF.1.95
25 - 49	CHF.1.87
50 - 99	CHF.1.79
100 +	CHF.1.67

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 258-3899
Herst. Teile-Nr.:: IPP65R095C7XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	24A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	IPP
	Gehäusegröße	TO-220
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	95mΩ
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Maximale Verlustleistung Pd	128W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	45nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie IPP
	Gehäusegröße TO-220
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 95mΩ
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Maximale Verlustleistung Pd 128W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPP65R095C7XKSA1

Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie CoolMOS C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Zulieferers mit hochwertiger Innovation. Das Produktportfolio bietet alle Vorteile von Offset-Schalt-Super-Junction-MOSFETs, die einen besseren Wirkungsgrad, geringere Gate-Ladung, einfache Implementierung und hervorragende Zuverlässigkeit bieten.

Niedrigere Gate-Ladung Qg

Platzersparnis durch den Einsatz kleinerer Gehäuse oder Reduzierung der Teile

Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse

Geringe Schaltverluste

Besserer Wirkungsgrad bei leichter Last

Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET 650 V / 24 A 128 W, 3-Pin IPP65R095C7XKSA1 TO-220

Verwandte Links