Infineon IPP, Oberfläche MOSFET 700 V / 17.5 A IPP65R190CFDXKSA2 TO-220

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RS Best.-Nr.:
258-3901
Herst. Teile-Nr.:
IPP65R190CFDXKSA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

IPP

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 650 V CoolMOS CFD2 ist die zweite Generation der marktführenden Hochspannungs-CoolMOS MOSFETs mit integrierter schneller Gehäusediode. Die CFD2-Geräte sind der Nachfolger der 600-V-CFD mit verbesserter Energieeffizienz. Das weichere Schaltverhalten und damit ein besseres EMI-Verhalten verleiht diesem Produkt einen klaren Vorteil gegenüber Konkurrenzteilen.

Selbstbegrenzende di/dt und dv/dt

Niedriger Qoss

Verringerte Einschalt- und Drehverzögerungszeiten

Hervorragende CoolMOSTM-Qualität

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