Infineon IPU Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 950 V / 14 A 104 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 258-3904
- Herst. Teile-Nr.:
- IPU95R450P7AKMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | CHF.1.26 | CHF.94.73 |
| 150 - 300 | CHF.1.008 | CHF.75.76 |
| 375 + | CHF.0.945 | CHF.71.03 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3904
- Herst. Teile-Nr.:
- IPU95R450P7AKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 950V | |
| Serie | IPU | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 450mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 950V | ||
Serie IPU | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 450mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon 950 V CoolMOS P7-Serie bietet eine hervorragende Leistung in Bezug auf Effizienz, thermisches Verhalten und Benutzerfreundlichkeit. Wie alle anderen Mitglieder der P7-Familie verfügt die 950-V-Serie CoolMOS P7 über einen integrierten Zenerdioden-ESD-Schutz. Die integrierte Diode verbessert die ESD-Robustheit erheblich, wodurch ESD-bedingte Leistungsverluste verringert und eine außergewöhnliche Benutzerfreundlichkeit erreicht wird. Der CoolMOS P7 wurde mit dem besten VGS(th) der Klasse von 3 V und einer engen Toleranz von nur ±0,5 V entwickelt, wodurch er leicht zu steuern und zu entwerfen ist.
Ermöglicht eine höhere Leistungsdichte, BOM-Einsparungen und geringere Montagekosten
Einfach zu steuern und einbauen
Besserer Produktionsertrag durch Verringerung von ESD-bedingten Ausfällen
Weniger Produktionsprobleme und geringere Feldrückstellung
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