Infineon IPW Typ N-Kanal MOSFET 600 V / 22 A 110 W, 3-Pin IPW60R099C7XKSA1 TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 258-3907
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R099C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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| 25 - 49 | CHF.4.85 |
| 50 - 99 | CHF.4.63 |
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- RS Best.-Nr.:
- 258-3907
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R099C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | IPW | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 99mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie IPW | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 99mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die 600-V-Serie CoolMOS C7 Super Junction MOSFETs von Infineon bietet eine Reduzierung der Abschaltverluste um ∼50 % im Vergleich zum CoolMOS CP und bietet ein hervorragendes Leistungsniveau in PFC, TTF und anderen schwer schaltbaren Topologien. Der MOSFET ist außerdem eine perfekte Passform für Ladegeräte mit hoher Leistungsdichte. Effizienz- und TCO-Anwendungen wie Hyper-Rechenzentren und hocheffiziente Telekommunikationsgleichrichter (>96 %) profitieren von der höheren Effizienz, die CoolMOS C7 bietet. Es können Verstärkungsfaktoren von 0,3 % bis 0,7 % in PFC- und 0,1 % in LLC-Topologien erreicht werden. Im Falle eines 2,5-kW-Server-Netzteils zum Beispiel kann die Verwendung von 600-V-CoolMOS C7 SJ-MOSFETs in einem TO-247-4-poligen Gehäuse zu einer Senkung der Energiekosten von ∼10 % für Netzteil-Energieverluste führen.
Erhöhte Schaltfrequenz
Bestes R (on)A der Welt
Robuste Gehäusediode
Messung mit Schlüsselparameter für leichte Last und Wirkungsgrad bei voller Last
Durch das Verdoppeln der Schaltfrequenz wird die Größe der magnetischen Bauteile halbiert
Kleinere Gehäuse für die gleiche R DS(on)
Kann in vielen weiteren Positionen sowohl für harte als auch weiche Schalttopologien verwendet werden
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