Infineon IPW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 30 A 219 W, 3-Pin IPW60R125P6XKSA1 TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.3.14

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 159 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9CHF.3.14
10 - 24CHF.2.98
25 - 49CHF.2.92
50 - 99CHF.2.73
100 +CHF.2.54

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3909
Herst. Teile-Nr.:
IPW60R125P6XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

IPW

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

219W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Super-Junction-MOSFET-Familie CoolMOS P6 von Infineon wurde entwickelt, um eine höhere Systemeffizienz zu ermöglichen und gleichzeitig einfach einzurichten. CoolMOS P6 schließt die Lücke zwischen Technologien, die sich auf die ultimative Leistung konzentrieren, und denen, die sich stärker auf die Benutzerfreundlichkeit konzentrieren.

Besserer Wirkungsgrad bei Sanftkopplungsanwendungen aufgrund früherer Abschaltung

Geeignet für harte und weiche Schalttopologien

Optimierte Balance zwischen Effizienz und Benutzerfreundlichkeit sowie gute Steuerbarkeit des Schaltverhaltens

Verwandte Links