Infineon IPW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 30 A 219 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 258-3908
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R125P6XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.81.60
Auf Lager
- 150 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.2.72 | CHF.81.55 |
| 60 - 120 | CHF.2.583 | CHF.77.49 |
| 150 + | CHF.2.478 | CHF.74.21 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3908
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R125P6XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | IPW | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 219W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie IPW | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 219W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Super-Junction-MOSFET-Familie CoolMOS P6 von Infineon wurde entwickelt, um eine höhere Systemeffizienz zu ermöglichen und gleichzeitig einfach einzurichten. CoolMOS P6 schließt die Lücke zwischen Technologien, die sich auf die ultimative Leistung konzentrieren, und denen, die sich stärker auf die Benutzerfreundlichkeit konzentrieren.
Besserer Wirkungsgrad bei Sanftkopplungsanwendungen aufgrund früherer Abschaltung
Geeignet für harte und weiche Schalttopologien
Optimierte Balance zwischen Effizienz und Benutzerfreundlichkeit sowie gute Steuerbarkeit des Schaltverhaltens
Verwandte Links
- Infineon, SMD MOSFET 650 V / 30 A PG-TO 247
- Infineon, SMD MOSFET 650 V / 22 A PG-TO 247
- Infineon MOSFET Transistor / 24 A PG-TO 247
- Infineon MOSFET Transistor / 50 A PG-TO 247
- Infineon MOSFET Transistor / 53,5 A PG-TO 247
- Infineon MOSFET Transistor / 75 A PG-TO 247-4
- Infineon MOSFET Transistor & Diode / 17 A PG-TO 247-3
- Infineon, SMD MOSFET 700 V / 211 A PG-TO 247
