Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 150 V / 8.7 A, 5-Pin IRFI4019H-117PXKMA1 TO-220

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RS Best.-Nr.:
258-3974
Herst. Teile-Nr.:
IRFI4019H-117PXKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der digitale Audio-MOSFET-Halbbrücke von Infineon wurde speziell für Audio-Verstärkeranwendungen der Klasse D entwickelt. Er besteht aus zwei Leistungs-MOSFET-Schaltern, die in einer Halbbrückenkonfiguration verbunden sind. Das neueste Verfahren wird verwendet, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen. Darüber hinaus sind Gate-Ladung, Gehäuse-Diode-Rückwärtswiederherstellung und interner Gate-Widerstand optimiert, um wichtige Audioverstärker-Leistungsfaktoren der Klasse D wie Effizienz, THD und EMI zu verbessern. Diese Kombination macht diese Halbbrücke zu einem äußerst effizienten, robusten und zuverlässigen Gerät für Audioverstärkeranwendungen der Klasse D.

Niedriger RDS(on)

Zweifach-N-Kanal-MOSFET

Integriertes Halbbrückengehäuse

Niedriger Qrr

Umweltfreundlich

Hohe Leistungsdichte

Integriertes Design

Einsparungen auf der Platine

Niedrige elektromagnetische Störungen

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