Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 100 V / 6.6 A, 5-Pin IRFI4212H-117PXKMA1 TO-220

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RS Best.-Nr.:
258-3978
Herst. Teile-Nr.:
IRFI4212H-117PXKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

58mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Integriertes Halbbrückengehäuse

Hoher Wirkungsgrad und THD

Niedrige elektromagnetische Störungen

Umweltfreundlich

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