Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 100 V / 6.6 A, 5-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.63.55

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 800 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50CHF.1.271CHF.63.37
100 - 200CHF.1.029CHF.51.35
250 - 450CHF.0.966CHF.48.14
500 - 950CHF.0.914CHF.45.62
1000 +CHF.0.872CHF.43.73

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
258-3977
Herst. Teile-Nr.:
IRFI4212H-117PXKMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

58mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Integriertes Halbbrückengehäuse

Hoher Wirkungsgrad und THD

Niedrige elektromagnetische Störungen

Umweltfreundlich

Verwandte Links

Recently viewed