Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 80 A IRF8010PBF TO-220

RS Best.-Nr.:: 257-9326
Herst. Teile-Nr.:: IRF8010PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 80 A IRF8010PBF TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.7.51

Auf Lager

615 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 45	CHF.1.502	CHF.7.53
50 - 120	CHF.1.313	CHF.6.55
125 - 245	CHF.1.218	CHF.6.10
250 - 495	CHF.1.145	CHF.5.72
500 +	CHF.1.05	CHF.5.27

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 257-9326
Herst. Teile-Nr.:: IRF8010PBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	80A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	15mΩ
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	81nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 81nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRF8010PBF

Die IRF-Serie von Infineon ist ein 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TO 220-Gehäuse. Die IR-MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie z. B. Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Industriestandard-Abmessungen für einfache Konstruktion erhältlich.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Durchgangsbohrungs-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Hoher Nennstrom

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 80 A IRF8010PBF TO-220

Verwandte Links