Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 80 A TO-220

RS Best.-Nr.:: 257-9325
Herst. Teile-Nr.:: IRF8010PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 80 A TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 - 50	CHF.1.344	CHF.66.99
100 - 200	CHF.1.124	CHF.56.28
250 - 450	CHF.1.071	CHF.53.60
500 - 950	CHF.0.977	CHF.48.88
1000 +	CHF.0.935	CHF.46.88

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 257-9325
Herst. Teile-Nr.:: IRF8010PBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	80A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	HEXFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	15mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	81nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie HEXFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 81nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRF8010PBF

Die IRF-Serie von Infineon ist ein 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TO 220-Gehäuse. Die IR-MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie z. B. Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Industriestandard-Abmessungen für einfache Konstruktion erhältlich.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Durchgangsbohrungs-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Hoher Nennstrom

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 80 A TO-220

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