Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 17 A 80 W, 3-Pin IRFB4019PBF TO-220

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RS Best.-Nr.:
145-8607
Herst. Teile-Nr.:
IRFB4019PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

95mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

80W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.82 mm

Länge

10.66mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.02mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MX

MOSFET für Digital-Audio, Infineon


Verstärker der Klasse D werden schnell zur bevorzugten Lösung für kommerzielle und private Audio- und Videosysteme. Infineon bietet ein umfassendes Sortiment von Produkten an, die das Design von Verstärkern der Klasse D mit hoher Effizienz vereinfachen.

MOSFET-Transistoren, Infineon


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