Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 35 A TO-220

Dieser MOSFET ist ein Durchsteck-Leistungstransistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlung in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Enhancement-Gerät im TO-220-Gehäuse und eignet sich für Installationen, die eine robuste Ablass-Quellenspannung und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit erfordern. Die Komponente erfüllt die RoHS-Anforderungen und ist für einen breiten Temperaturbereich ausgelegt, der für industrielle Bedingungen geeignet ist.

• Die Nennleistung von 150 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 35 A Dauerstrom unterstützt Hochstrom-Stromversorgungen
• Niedrige Rds(on) von 39 mΩ minimiert Leitungsverluste während des Betriebs
• Der Betriebsbereich von -55 °C bis +175 °C ermöglicht den Einsatz bei extremen Temperaturen
• 1,3-V-Forward-Gate-Spannung reduziert den Antriebsaufwand für das Schalten

• Geeignet für Motorantriebs-Leistungsstufen
• Ideal für Hochstrom-Schaltnetzteile
• Wird mit diskreten Leistungssteuerungsmodulen in industriellen Systemen verwendet
• Kann für Hochspannungs-Gleichstromschaltvorgänge verwendet werden

Er wird in einem TO-220-Gehäuse mit Durchsteckbohrung geliefert, das für eine sichere Lötmontage geeignet ist.

Die N-Kanal-Konfiguration erfordert einen positiven Gate-Antrieb in Bezug auf die Quelle für die Leitfähigkeit.

Es ist nicht spezifiziert, dass es den Normen der Automobilindustrie entspricht.

Das Gerät entspricht den RoHS-Richtlinien zur Beschränkung bestimmter gefährlicher Stoffe.