Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 150 V / 35 A TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 257-9354
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB5615PBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 100 Stück)*
CHF.53.60
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | CHF.0.536 | CHF.53.13 |
| 200 - 400 | CHF.0.515 | CHF.51.77 |
| 500 + | CHF.0.504 | CHF.50.51 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9354
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB5615PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRFB-Serie von Infineon ist ein 150-V-Single-N-Kanal-Digital-Audio-Leistungs-MOSFET in einem TO 220-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Standard-Pin-Ausführung ermöglicht den Austausch im Steckdosenbereich
Hochstromträgergehäuse
Qualifikationsstufe nach Industriestandard
Hohe Leistung in Niederfrequenzanwendungen
Erhöhte Leistungsdichte
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