Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 35 A TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 257-9354
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB5615PBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 257-9354
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- IRFB5615PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 39mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 39mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 150 V maximale Drain-Source-Spannung, 35 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFB5615PBF
Dieser MOSFET ist ein Durchsteck-Leistungstransistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlung in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Enhancement-Gerät im TO-220-Gehäuse und eignet sich für Installationen, die eine robuste Ablass-Quellenspannung und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit erfordern. Die Komponente erfüllt die RoHS-Anforderungen und ist für einen breiten Temperaturbereich ausgelegt, der für industrielle Bedingungen geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 150 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 35 A Dauerstrom unterstützt Hochstrom-Stromversorgungen
• Niedrige Rds(on) von 39 mΩ minimiert Leitungsverluste während des Betriebs
• Der Betriebsbereich von -55 °C bis +175 °C ermöglicht den Einsatz bei extremen Temperaturen
• 1,3-V-Forward-Gate-Spannung reduziert den Antriebsaufwand für das Schalten
• 35 A Dauerstrom unterstützt Hochstrom-Stromversorgungen
• Niedrige Rds(on) von 39 mΩ minimiert Leitungsverluste während des Betriebs
• Der Betriebsbereich von -55 °C bis +175 °C ermöglicht den Einsatz bei extremen Temperaturen
• 1,3-V-Forward-Gate-Spannung reduziert den Antriebsaufwand für das Schalten
Anwendungsbereich
• Geeignet für Motorantriebs-Leistungsstufen
• Ideal für Hochstrom-Schaltnetzteile
• Wird mit diskreten Leistungssteuerungsmodulen in industriellen Systemen verwendet
• Kann für Hochspannungs-Gleichstromschaltvorgänge verwendet werden
• Ideal für Hochstrom-Schaltnetzteile
• Wird mit diskreten Leistungssteuerungsmodulen in industriellen Systemen verwendet
• Kann für Hochspannungs-Gleichstromschaltvorgänge verwendet werden
Welche Gehäusetypen sollte ich für die Leiterplattenmontage erwarten?
Er wird in einem TO-220-Gehäuse mit Durchsteckbohrung geliefert, das für eine sichere Lötmontage geeignet ist.
Wie wirkt sich der Kanaltyp auf die Schaltpolarität aus?
Die N-Kanal-Konfiguration erfordert einen positiven Gate-Antrieb in Bezug auf die Quelle für die Leitfähigkeit.
Ist diese Komponente für die Qualifizierung im Automobilbereich vorgesehen?
Es ist nicht spezifiziert, dass es den Normen der Automobilindustrie entspricht.
Welche Standard-Umgebungsbeschränkung wird eingehalten?
Das Gerät entspricht den RoHS-Richtlinien zur Beschränkung bestimmter gefährlicher Stoffe.
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