Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 150 V / 35 A TO-220

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RS Best.-Nr.:
257-9354
Herst. Teile-Nr.:
IRFB5615PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die IRFB-Serie von Infineon ist ein 150-V-Single-N-Kanal-Digital-Audio-Leistungs-MOSFET in einem TO 220-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Standard-Pin-Ausführung ermöglicht den Austausch im Steckdosenbereich

Hochstromträgergehäuse

Qualifikationsstufe nach Industriestandard

Hohe Leistung in Niederfrequenzanwendungen

Erhöhte Leistungsdichte

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