Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 56 A 110 W IRFR2405TRLPBF TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.4.885

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 1’960 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.0.977CHF.4.87
50 - 120CHF.0.893CHF.4.47
125 - 245CHF.0.84CHF.4.18
250 - 495CHF.0.777CHF.3.89
500 +CHF.0.725CHF.3.60

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3984
Herst. Teile-Nr.:
IRFR2405TRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

56A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

16mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

70nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Infineon R MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Abmessungen nach Industriestandard für einfache Konstruktion erhältlich.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Erhöhte Robustheit

Große Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Verwandte Links