Infineon SPD15P10P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 15 A 230 W, 3-Pin SPD15P10PLGBTMA1 TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-7790
- Herst. Teile-Nr.:
- SPD15P10PLGBTMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.2.195 | CHF.10.96 |
| 25 - 45 | CHF.1.89 | CHF.9.45 |
| 50 - 120 | CHF.1.775 | CHF.8.89 |
| 125 - 245 | CHF.1.649 | CHF.8.23 |
| 250 + | CHF.1.208 | CHF.6.04 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-7790
- Herst. Teile-Nr.:
- SPD15P10PLGBTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | SPD15P10P | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.20Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 47nC | |
| Durchlassspannung Vf | -0.96V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 230W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC Q101, Pb-free lead plating, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie SPD15P10P | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.20Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 47nC | ||
Durchlassspannung Vf -0.96V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 230W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC Q101, Pb-free lead plating, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der SIPMOS-Leistungstransistor von Infineon gehört zu den äußerst innovativen P-Kanal-Leistungs-MOSFETs der OptiMOS-Familie. Diese Produkte erfüllen konsequent die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für die Entwicklung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. auf Zustandwiderstand und Verdienstmerkmale.
Verstärkungsmodus
Avalanche-getestet
Bleifreie Kabelbeschichtung
RoHS-konform
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