Infineon SPD15P10P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 15 A, 3-Pin SPD15P10PGBTMA1 TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-7787
- Herst. Teile-Nr.:
- SPD15P10PGBTMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.9.87
Auf Lager
- 2’490 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.974 | CHF.9.89 |
| 50 - 120 | CHF.1.764 | CHF.8.81 |
| 125 - 245 | CHF.1.659 | CHF.8.31 |
| 250 - 495 | CHF.1.544 | CHF.7.71 |
| 500 + | CHF.0.788 | CHF.3.96 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-7787
- Herst. Teile-Nr.:
- SPD15P10PGBTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Serie | SPD15P10P | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.24Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.35V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Serie SPD15P10P | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.24Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.35V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der SIPMOS-Leistungstransistor von Infineon gehört zu den äußerst innovativen P-Kanal-Leistungs-MOSFETs der OptiMOS-Familie. Diese Produkte erfüllen konsequent die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für die Entwicklung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. auf Zustandwiderstand und Verdienstmerkmale.
Verstärkungsmodus
Avalanche-getestet
Bleifreie Kabelbeschichtung
RoHS-konform
Verwandte Links
- Infineon P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15 A PG-TSDSON-8
- Infineon P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 39,5 A PG-TSDSON-8
- Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 160 A PG-TSDSON-8
- Infineon N/P-Kanal-Kanal, SMD MOSFET 20/20 V / 5,1/3,2 A PG-TSDSON-8 LTI
- Infineon P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15 A PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Power Transistor P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10,3 A, 8-Pin PG-TSDSON-8 FL
- Infineon N-Kanal MOSFET / 61 A PG-TSDSON-8 FL
- Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 223 A PG-TSDSON
