Infineon CoolMOS^TM N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 6 A 83 W, 3-Pin PG-TO220-3
- RS Best.-Nr.:
- 259-1575
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-34-463
- Herst. Teile-Nr.:
- SPP06N80C3XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt sichern
25 weitere Einheiten hinzufügen, um 9% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF 10.61
Auf Lager
- Zusätzlich 200 Einheit(en) mit Versand ab 16. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF 2.121 | CHF 10.61 | - |
| 25 - 45 | CHF 1.909 | CHF 9.56 | 9% |
| 50 - 120 | CHF 1.697 | CHF 8.47 | 19% |
| 125 - 245 | CHF 1.596 | CHF 7.96 | 24% |
| 250 + | CHF 1.212 | CHF 6.05 | 42% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 259-1575
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-34-463
- Herst. Teile-Nr.:
- SPP06N80C3XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | PG-TO220-3 | |
| Serie | CoolMOS^TM | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.9Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC1, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße PG-TO220-3 | ||
Serie CoolMOS^TM | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.9Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC1, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der coolmostm-Leistungstransistor von Infineon ist eine Schaltanwendung. Dies ist eine industrielle Anwendung mit hoher DC-Massenspannung. Es ist gemäß JEDEC1 für Zielanwendungen qualifiziert.
Extreme dv/dt-Nennleistung
Hohe Spitzenstromleistung
Extrem niedrige Gate-Ladung
Extrem niedrige effektive Kapazitäten
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS^TM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 6 A 83 W, 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 6 A 83 W, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS^TM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 800 V / 54.9 A, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon CoolMOSTM 800V Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 800 V / 8 A 104 W, 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon CoolMOS^TM, Oberfläche MOSFET 800 V / 11 A 34 W, 3-Pin TO-220
- Infineon 800V CoolMOS P7, Durchsteckmontage MOSFET 800 V / 4 A 32 W, 3-Pin PG-TO251-3
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 5.7 A 83 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 6 A 83 W, 3-Pin TO-252