Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 143 A 250 W, 8-Pin HSOG

RS Best.-Nr.:: 259-2737
Herst. Teile-Nr.:: IPTG054N15NM5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 143 A 250 W, 8-Pin HSOG

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 259-2737
Herst. Teile-Nr.:: IPTG054N15NM5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	143A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	150V
	Gehäusegröße	HSOG
	Serie	IPT
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	55.4mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	58nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	0.83V
	Maximale Verlustleistung Pd	250W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	8.75 mm
	Normen/Zulassungen	RoHS, IEC 61249-2-21
	Höhe	2.4mm
	Länge	10.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 143A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 150V
	Gehäusegröße HSOG
	Serie IPT
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 55.4mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 58nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 0.83V
	Maximale Verlustleistung Pd 250W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 8.75 mm
	Normen/Zulassungen RoHS, IEC 61249-2-21
	Höhe 2.4mm
	Länge 10.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPTG054N15NM5ATMA1

Die industriellen OptiMOS 5-Leistungs-MOSFET-Geräte von Infineon in 80 V und 100 V wurden für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Server-Netzteilanwendungen entwickelt, sind aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantriebe und Laptop-Adapter. Mit einem breiten Gehäuseportfolio bietet diese Leistungs-MOSFET-Familie den branchenweit niedrigsten RDS(on). Einer der größten Beiträge zu dieser branchenführenden Leistung (FOM) ist der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand mit einem Wert von nur 2,7 mΩ im SuperSO8-Gehäuse, der das höchste Maß an Leistungsdichte und Effizienz bietet.

N-Kanal, normaler Pegel

Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on)

Überlegener Wärmewiderstand

100 % Lawinengeprüft

Bleifreie Kabelbeschichtung; RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 143 A 250 W, 8-Pin HSOG

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