Infineon IPP N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 121 A 150 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 260-1060
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP026N04NF2SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.4.484
Auf Lager
- 958 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF 2.242 | CHF 4.48 |
| 20 - 48 | CHF 2.00 | CHF 3.99 |
| 50 - 98 | CHF 1.858 | CHF 3.71 |
| 100 - 198 | CHF 1.757 | CHF 3.52 |
| 200 + | CHF 1.121 | CHF 2.24 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-1060
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP026N04NF2SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 121A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 68nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.88V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.75mm | |
| Länge | 15.8mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Breite | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 121A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 68nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.88V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.75mm | ||
Länge 15.8mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Breite 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET bietet eine breite Palette von Anwendungen von niedriger bis hoher Schaltfrequenz mit einer breiten Verfügbarkeit von Vertriebspartnern bis hin zu einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis.
Hoher Nennstrom
Durchgangsbohrungsgehäuse nach Industriestandard
Verwandte Links
- Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 121 A 150 W, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET / 84 A TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 201 A 375 W, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 113 A 107 W, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 193 A 188 W, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 197 A 250 W, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 119 A 150 W, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 62 A 300 W, 3-Pin TO-220