Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 202 A 333 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 260-5057
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF1404
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | CHF.5.33 |
| 5 - 9 | CHF.5.07 |
| 10 - 24 | CHF.4.96 |
| 25 - 49 | CHF.4.64 |
| 50 + | CHF.4.32 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-5057
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF1404
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 202A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.67 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Länge | 16.51mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 202A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.67 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.83mm | ||
Länge 16.51mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon HEXFET-Leistungs-MOSFET wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt. Dieser Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen.
Erweiterte Prozesstechnologie
Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelles Schalten
Wiederholte Lawinen bis zu Tjmax zulässig
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