Infineon iPB Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung / 180 A TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 260-5120
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB180N06S4H1ATMA2
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 260-5120
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB180N06S4H1ATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die N-Kanal-OptiMOS-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten eine ausgezeichnete Gate-Ladung. Er hat die höchste Strombelastbarkeit. Dieser N-Kanal-MOSFET-Transistor arbeitet im Verstärkungsmodus.
N-Kanal-Verbesserungsmodus
MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow
100 % Lawinengeprüft
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