Teile-Nr.

Infineon iPB Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung / 180 A TO-263

RS Best.-Nr.:: 260-5120
Herst. Teile-Nr.:: IPB180N06S4H1ATMA2
Marke:: Infineon

Infineon iPB Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung / 180 A TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 260-5120
Herst. Teile-Nr.:: IPB180N06S4H1ATMA2
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	180A
	Serie	iPB
	Gehäusegröße	TO-263
	Channel-Modus	Erweiterung
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A
	Serie iPB
	Gehäusegröße TO-263
	Channel-Modus Erweiterung
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPB180N06S4H1ATMA2

Die N-Kanal-OptiMOS-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten eine ausgezeichnete Gate-Ladung. Er hat die höchste Strombelastbarkeit. Dieser N-Kanal-MOSFET-Transistor arbeitet im Verstärkungsmodus.

N-Kanal-Verbesserungsmodus

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow

100 % Lawinengeprüft

Infineon iPB Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung / 180 A TO-263

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