Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 64 A, 3-Pin IRFI3205PBF TO-220

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262-6754
Herst. Teile-Nr.:
IRFI3205PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

64A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.036Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 64A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 63W maximale Verlustleistung - IRFI3205PBF


Dieser MOSFET ist für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad geeignet und bietet eine Lösung für verschiedene elektronische und elektrische Systeme. Mit seiner fortschrittlichen Verarbeitung ist er effektiv im Energiemanagement und bei Schaltaufgaben und dient als Schlüsselkomponente in modernen Designs. Seine Enhancement-Mode-Technologie gewährleistet eine gleichbleibende Leistung unter verschiedenen Betriebsbedingungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Kontinuierliche Drainstromfähigkeit von 64 A unterstützt Hochleistungsanwendungen

• 55 V Drain-Source-Spannung verbessert die Zuverlässigkeit der Schaltung

• Niedriger Einschaltwiderstand von 8mΩ verringert den Leistungsverlust

• Schnelle Schaltgeschwindigkeiten erhöhen die Effizienz bei Hochfrequenzanwendungen

• Maximale Verlustleistung von 63 W unterstützt effektives Wärmemanagement

• TO-220-Gehäusedesign ermöglicht einfache Installation in verschiedenen Aufbauten

Anwendungsbereich


• Einsatz in Stromversorgungen zur effizienten Energieumwandlung

• Geeignet für DC-DC-Wandler mit hohen Strömen

• Ideal für die Motorsteuerung die ein schnelles Umschalten erfordern

• Eingesetzt in Wechselrichterschaltungen in Systemen für erneuerbare Energien

• Einsatz in Energiemanagementsystemen für Elektrofahrzeuge

Wie wirkt sich der geringe On-Widerstand auf die Leistung aus?


Der geringe Einschaltwiderstand reduziert den Wärmeverlust, erhöht den Wirkungsgrad und sorgt dafür, dass mehr Energie für die Last zur Verfügung steht, anstatt als Wärme verschwendet zu werden.

Was ist die optimale Gate-Spannung für einen effizienten Betrieb?


Eine optimale Gate-Spannung von 10 V sorgt für maximale Leitfähigkeit und bestätigt den zuverlässigen Betrieb in Hochstromanwendungen.

Kann dieses Bauteil gepulste Ströme verarbeiten?


Ja, er ist für gepulste Ableitströme von bis zu 390 A ausgelegt und eignet sich daher für Anwendungen mit vorübergehendem Bedarf.

In welchem Temperaturbereich kann es arbeiten?


Es funktioniert effektiv über einen weiten Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und passt sich damit verschiedenen Umgebungsbedingungen an.

Ist dieses Produkt mit der Standard-Leiterplattenmontage kompatibel?


Ja, das TO-220-Gehäuse gewährleistet die Kompatibilität mit der herkömmlichen Leiterplattenmontage durch Bohrungen.

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