Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 16 A 52 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 262-6776
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-41-680
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU3910PBF
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.63 | CHF.6.35 |
| 100 - 240 | CHF.0.609 | CHF.6.04 |
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- RS Best.-Nr.:
- 262-6776
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-41-680
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU3910PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 115mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29.3nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 115mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29.3nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 6.22 mm | ||
Höhe 2.39mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er hat einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand. Sie bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
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Vollständig lawinenbeständig
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