Microchip TP0620 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / -175 A 1 W, 3-Pin TO-92

RS Best.-Nr.:: 264-8926
Herst. Teile-Nr.:: TP0620N3-G
Marke:: Microchip

Microchip TP0620 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / -175 A 1 W, 3-Pin TO-92

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: TP0620N3-G
Marke:: Microchip

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Microchip
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	-175A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	200V
	Gehäusegröße	TO-92
	Serie	TP0620
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	1W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Microchip
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id -175A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 200V
	Gehäusegröße TO-92
	Serie TP0620
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 1W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - TP0620N3-G

Der P-Kanal-MOSFET von Microchip mit niedrigem Schwellenwert und Verstärkungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Fertigungsverfahren mit Siliziumgatter. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Niedriger Schwellenwert (-2,4 V max.)

Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität (85 pF typisch)

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Frei von sekundären Störungen

Niedrige Eingangs- und Ausgangslecks

Microchip TP0620 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / -175 A 1 W, 3-Pin TO-92

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