Microchip VN3205 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET MOSFET 50 V / 1.5 A 1.6 W, 3-Pin VN3205N8-G SOT-89
- RS Best.-Nr.:
- 264-8947
- Herst. Teile-Nr.:
- VN3205N8-G
- Marke:
- Microchip
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.8.61
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.722 | CHF.8.63 |
| 50 - 95 | CHF.1.302 | CHF.6.50 |
| 100 - 245 | CHF.0.924 | CHF.4.64 |
| 250 - 995 | CHF.0.903 | CHF.4.54 |
| 1000 + | CHF.0.882 | CHF.4.43 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-8947
- Herst. Teile-Nr.:
- VN3205N8-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 50V | |
| Gehäusegröße | SOT-89 | |
| Serie | VN3205 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | MOSFET | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.6W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 50V | ||
Gehäusegröße SOT-89 | ||
Serie VN3205 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus MOSFET | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.6W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der P-Kanal-MOSFET von Microchip mit niedrigem Schwellenwert und Verstärkungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Frei von sekundären Störungen
Geringe Leistungsanforderung des Antriebs
Einfaches Parallelieren
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Ausgezeichnete thermische Stabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
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