ROHM R6013VND3 NaN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 131 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

CHF.2’467.50

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 - 2500CHF.0.987CHF.2’454.38
5000 +CHF.0.966CHF.2’407.13

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
265-5414
Herst. Teile-Nr.:
R6013VND3TL1
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

R6013VND3 NaN

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.3Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

131W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS NaN

Automobilstandard

Nein

ROHMs Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hohem Leistungsgehäuse eignet sich für Schaltkreise, Einzelzellenbatterieanwendungen und mobile Anwendungen.

Schnelle Umkehrerholungszeit (trr)

Niedriger Einschaltwiderstand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Einfache Antriebsschaltungen

Verwandte Links