ROHM R6013VND3 NaN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 131 W, 3-Pin R6013VND3TL1 TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
R6013VND3TL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

R6013VND3 NaN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.3Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

131W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS NaN

Automobilstandard

Nein

ROHMs Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hohem Leistungsgehäuse eignet sich für Schaltkreise, Einzelzellenbatterieanwendungen und mobile Anwendungen.

Schnelle Umkehrerholungszeit (trr)

Niedriger Einschaltwiderstand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Einfache Antriebsschaltungen

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