Vishay SQ4840CEY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 20.7 A 7.1 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 268-8356
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ4840CEY-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 268-8356
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ4840CEY-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SQ4840CEY | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.012Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 68nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 7.1W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SQ4840CEY | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.012Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 68nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 7.1W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der TrenchFET-Leistungs-MOSFET für den Kfz-N-Kanal von Vishay ist ein blei- und halogenfreies Gerät mit einem MOSFET-Einzelkonfiguration und ist unabhängig von der Betriebstemperatur.
AEC Q101 qualifiziert
ROHS-konform
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