Infineon OptiMOSa5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 112 A 214 W, 3-Pin PG-TO262-3
- RS Best.-Nr.:
- 273-3013
- Herst. Teile-Nr.:
- IPI076N15N5AKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- 273-3013
- Herst. Teile-Nr.:
- IPI076N15N5AKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 112A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | PG-TO262-3 | |
| Serie | OptiMOSa5 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 61nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDECforIndustrialApplications, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 112A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße PG-TO262-3 | ||
Serie OptiMOSa5 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDECforIndustrialApplications, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Leistungs-MOSFETs von Infineon sind besonders geeignet für Niederspannungsantriebe wie Gabelstapler und E-Roller sowie für Telekommunikations- und Solaranwendungen.
Höhere Leistungsdichte
Robuster Produkte
Reduzierung der Systemkosten
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