Infineon IPU Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 950 V / 9 A 73 W, 3-Pin PG-TO251-3
- RS Best.-Nr.:
- 273-3023
- Herst. Teile-Nr.:
- IPU95R750P7AKMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | CHF.1.145 | CHF.85.84 |
| 150 + | CHF.1.061 | CHF.79.61 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-3023
- Herst. Teile-Nr.:
- IPU95R750P7AKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 950V | |
| Gehäusegröße | PG-TO251-3 | |
| Serie | IPU | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.75Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 73W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 950V | ||
Gehäusegröße PG-TO251-3 | ||
Serie IPU | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.75Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 73W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von Infineon wurde entwickelt, um die wachsenden Bedürfnisse der Verbraucher in der Hochspannungs-MOSFET-Arena zu erfüllen. Die neueste 950-V-Kühl-MOS-P7-Technologie konzentriert sich auf den SMPS-Markt mit niedrigem Stromverbrauch. Die integrierte Diode verbessert die ESD-Robustheit erheblich, wodurch
Einfach zu steuern und zu entwerfen
Besserer Produktionsertrag durch Reduzierung von ESD-bedingten Ausfällen
Weniger Produktionsprobleme und geringere Feldrückstellungen
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