Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 73 A 75 W, 3-Pin IPD040N03LF2SATMA1 PG-TO252-3

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RS Best.-Nr.:
349-430
Herst. Teile-Nr.:
IPD040N03LF2SATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

73A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.05mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

75W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der 30-V-Leistungs-MOSFET StrongIRFET 2 von Infineon verfügt über einen erstklassigen RDS(on) von 4 mOhm in einem DPAK-Gehäuse. Dieses Produkt eignet sich für ein breites Spektrum von Anwendungen mit niedriger bis hoher Schaltfrequenz.

Produkte für allgemeine Zwecke

Ausgezeichnete Robustheit

Breite Verfügbarkeit bei Händlern

Standardgehäuse und Pinbelegung

Hohe Fertigungs- und Lieferstandards

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