Infineon SPD04P10PL G Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / -4.2 A 38 W, 3-Pin PG-TO252-3
- RS Best.-Nr.:
- 273-7551
- Herst. Teile-Nr.:
- SPD04P10PLGBTMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF 0.616 | CHF 6.14 |
| 50 - 90 | CHF 0.606 | CHF 6.02 |
| 100 - 240 | CHF 0.566 | CHF 5.64 |
| 250 - 990 | CHF 0.515 | CHF 5.19 |
| 1000 + | CHF 0.505 | CHF 5.10 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-7551
- Herst. Teile-Nr.:
- SPD04P10PLGBTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -4.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PG-TO252-3 | |
| Serie | SPD04P10PL G | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 850mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.94V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 38W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC Q101, RoHS | |
| Länge | 40mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Breite | 40mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -4.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PG-TO252-3 | ||
Serie SPD04P10PL G | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 850mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.94V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 38W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC Q101, RoHS | ||
Länge 40mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Breite 40mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineons MOSFET ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET. Diese Produkte erfüllen durchweg die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in Bezug auf Schlüsselspezifikationen für die Auslegung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. Widerstand im eingeschalteten Zustand und Leistungskennzahlen. Es handelt sich um ein qualifiziertes Produkt gemäß AEC Q101.
Logikpegel
RoHS-konform
Erweiterungsmodus
Pb-freie Bleibeschichtung
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