Infineon SPD04P10PL G Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / -4.2 A 38 W, 3-Pin PG-TO252-3
- RS Best.-Nr.:
- 273-7551
- Herst. Teile-Nr.:
- SPD04P10PLGBTMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.7.04
Auf Lager
- 2’490 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.0.704 | CHF.7.00 |
| 50 - 90 | CHF.0.683 | CHF.6.87 |
| 100 - 240 | CHF.0.641 | CHF.6.43 |
| 250 - 990 | CHF.0.588 | CHF.5.92 |
| 1000 + | CHF.0.578 | CHF.5.82 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-7551
- Herst. Teile-Nr.:
- SPD04P10PLGBTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -4.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PG-TO252-3 | |
| Serie | SPD04P10PL G | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 850mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 38W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.94V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 40mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC Q101, RoHS | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Breite | 40 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -4.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PG-TO252-3 | ||
Serie SPD04P10PL G | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 850mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 38W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.94V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 40mm | ||
Normen/Zulassungen AEC Q101, RoHS | ||
Höhe 1.5mm | ||
Breite 40 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineons MOSFET ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET. Diese Produkte erfüllen durchweg die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in Bezug auf Schlüsselspezifikationen für die Auslegung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. Widerstand im eingeschalteten Zustand und Leistungskennzahlen. Es handelt sich um ein qualifiziertes Produkt gemäß AEC Q101.
Logikpegel
RoHS-konform
Erweiterungsmodus
Pb-freie Bleibeschichtung
Verwandte Links
- Infineon SPD04P10PL G Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / -4.2 A 38 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 6.5 A 28 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4.3 A 19 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -16.4 A 63 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon SPP18P06P-H Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -18.7 A 81.1 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon SPD18P06P G Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -18.6 A 80 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon ISA Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8.4 A 2.5 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 64 W, 3-Pin PG-TO252-3
