Infineon SPD04P10PL G Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / -4.2 A 38 W, 3-Pin PG-TO252-3
- RS Best.-Nr.:
- 273-7551
- Herst. Teile-Nr.:
- SPD04P10PLGBTMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.6.36
Auf Lager
- 2'490 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.0.636 | CHF.6.37 |
| 50 - 90 | CHF.0.626 | CHF.6.25 |
| 100 - 240 | CHF.0.586 | CHF.5.84 |
| 250 - 990 | CHF.0.535 | CHF.5.38 |
| 1000 + | CHF.0.525 | CHF.5.29 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-7551
- Herst. Teile-Nr.:
- SPD04P10PLGBTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -4.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | SPD04P10PL G | |
| Gehäusegröße | PG-TO252-3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 850mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.94V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 38W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC Q101, RoHS | |
| Länge | 40mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Breite | 40 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -4.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie SPD04P10PL G | ||
Gehäusegröße PG-TO252-3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 850mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.94V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 38W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC Q101, RoHS | ||
Länge 40mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Breite 40 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineons MOSFET ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET. Diese Produkte erfüllen durchweg die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in Bezug auf Schlüsselspezifikationen für die Auslegung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. Widerstand im eingeschalteten Zustand und Leistungskennzahlen. Es handelt sich um ein qualifiziertes Produkt gemäß AEC Q101.
Logikpegel
RoHS-konform
Erweiterungsmodus
Pb-freie Bleibeschichtung
Verwandte Links
- Infineon SPD04P10PL G Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / -4.2 A 38 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 6.5 A 28 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4.3 A 19 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -16.4 A 63 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon SPP18P06P-H Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -18.7 A 81.1 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon SPD18P06P G Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -18.6 A 80 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon ISA Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8.4 A 2.5 W, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 137 A 107 W, 3-Pin PG-TO252-3
