Vishay SI Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.9 A 1.7 W, 6-Pin SI1480BDH-T1-GE3 US

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279-9891
Herst. Teile-Nr.:
SI1480BDH-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

SI

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.212Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.7W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

100 Prozent Rg und UIS-geprüft

Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil

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